Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Метод и оборудование для его реализации позволяют проводить контроль полупроводниковой пластины и отдельных ее участков.
The method and equipment for its realization allow to carry out control of semiconductor wafer and individual its sites.
The method and equipment for its realization allow to carry out control of semiconductor wafer and individual its sites.
Опис
Теми
Цитування
Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 22-24. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.