Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Показана перспективность применения висмута в качестве металла-растворителя для жидкофазной эпитаксии арсенида галлия.
The application prospects of bismuth as solvent of metal for gallium arsenide liquid-phase epitaxy has been shown.
The application prospects of bismuth as solvent of metal for gallium arsenide liquid-phase epitaxy has been shown.
Опис
Теми
Материалы для электронных компонентов
Цитування
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия / С.В. Шутов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 48-50. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.