Preparation of high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals

Abstract

Possibilities have been studied to prepare high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals of high perfection and spectrometric quality. Studies have been carried out of deep purification of Cd, Zn and Te using the installation developed by us, which comprised a rotating container of optical quartz, by distillation and recrystallization. This installation is polyfunctional, allowing distillation, zone purification, recrystallization in horizontal (at a small angle) or vertical direction. It has been shown that horizontal zone purification is efficient for most admixtures, with exception of carbon. For carbon removal from Cd, Zn and Te, a vertical variant of zone purification was additionally used, which allowed reduction in carbon content from 10⁻³ to -10⁻⁶ %.Работа посвящена исследованию возможности получения высокочистой шихты для выращивания кристаллов Cd₁₋ₓ ZnₓTe высокого структурного совершенства и спектрометрического качества. Приведены результаты изучения процессов глубокой очистки Cd, Zn и Te при использовании разработанной нами установки с вращающимся контейнером из оптического кварца путем их дистилляции и перекристаллизации. Эта установка является многофункциональной и позволяет проводить дистилляцию, зонную очистку, перекристаллизацию как в горизонтальном (под небольшим углом), так и в вертикальном направлениях. Показано, что горизонтальная зонная очистка является эффективной для большинства примесей, за исключением углерода. Для очистки Cd, Zn и Te от примеси углерода дополнительно использован вертикальный вариант зонной очистки, который позволил снизить содержание углерода с с 10⁻³ до -10⁻⁶ %Робота присвячена досліджєнню можливості одержання шихти високої чистоти для вирощування структурно досконалих кристалів Cd₁₋ₓ ZnₓTe спектрометричної якості. Приведено результати вивчення процесів глибокого очищення Cd, Zn та Te при використанні розробленої нами установки з обертовим контейнером із оптичного кварцу шляхом їх дистиляції і перекристалізації. Ця установка є багатофункціональною і дозволяє проводити дистиляцію, зонну очистку, перекристалізацію як у горизонтальному (під невеликим кутом), так і у вертикальному напрямках. Показано, що горизонтальна зонна очистка є ефективною для більшості домішок, за винятком вуглецю. Для очищення Cd, Zn та Te від домішки вуглецю додатково використаний вертикальний варіант зонної очистки, що дозволив знизити вміст вуглецю з 10⁻³ до -10⁻⁶ %.