Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
Завантаження...
Файли
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Новый низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии позволяет получить изопериодные гетероструктуры In₁₋ᵪGaᵪAs/InP.
The new low temperature isothermic method of the chloride epitaxy allows to obtain isoperiodic heterostructures In₁₋ᵪGaᵪAs/InP.
The new low temperature isothermic method of the chloride epitaxy allows to obtain isoperiodic heterostructures In₁₋ᵪGaᵪAs/InP.
Опис
Теми
Материалы для компонентов
Цитування
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs / С.К. Губа // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 2. — С. 40-42. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.