Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Разработана технология изготовления КЭС для биполярных интегральных схем без автолегирования и смещения скрытого слоя.
The manufacturing technology of silicon epitaxial structure of bipolar integrated circuits without autodoping and bias of buried layer has been developed.
The manufacturing technology of silicon epitaxial structure of bipolar integrated circuits without autodoping and bias of buried layer has been developed.
Опис
Теми
Технологические процессы
Цитування
Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 23-25. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.