Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник

Abstract

Досліджена температурна залежность параметрів поверхневих станів структури метал-діелектрик-напівпровідник на високих частотах. Фазометричним методом досліджено імпеданс вбудованого каналу безкорпусного планарного польового транзистора з двома ізольованими затворами.Investigation temperature dependence of surface states parameters o metal-insulator-semiconductor are calculated a the high frequencies. The impedance of a built-channel bodiless planar field-effect transistor with two isolated gates are studied by a phase metrical method.Исследована температурная зависимость параметров поверхностных состояний структуры металл–диэлектрик–полупроводник на высоких частотах. Фазометрическим методом исследован импеданс встроенного канала беcкорпусного планарного полевого транзистора с двумя изолированными затворами.