Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г.Є. Пухова НАН України
Анотація
The mathematical model of two breech-block field transistor is grounded in the
mode of direct displacement on breech-blocks as an indefinite matrix of conductivity of 4th orders. Analytical dependences of parameters of this model are got on the parameters of semiconductor structure.
Опис
Теми
Цитування
Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах / Л.Б. Ліщинська // Моделювання та інформаційні технології: Зб. наук. пр. — К.: ІПМЕ ім. Г.Є. Пухова НАН України, 2011. — Вип. 59. — С. 41-48. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.