Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Досліджено вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях.
Influence of ion etching of surfaces of silicon plates on the principal parameters of photodiodes made on these surfaces is investigated.
Influence of ion etching of surfaces of silicon plates on the principal parameters of photodiodes made on these surfaces is investigated.
Опис
Теми
Оптична і квантова електроніка в комп’ютерних та інтелектуальних технологіях
Цитування
Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію / В.Г. Житарюк, В.М. Годованюк, І.В. Докторович // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2009. — № 1 (17). — С. 137-140. — Бібліогр.: 4 назв. — укp.