Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания

Abstract

Экспериментально установлено, что изменяя условия выращивания, можно получить эпитаксиальные слои с требуемыми параметрами (толщиной, подвижностью и концентрацией носителей заряда).Експериментально встановлено кореляцію рухливості і концентрації носіїв заряду і умов вирощування методом рідкофазної епітаксії арсенід-галієвих шарів. Змінюючи параметри технологічного процесу вирощування, можна отримати шари з необхідною рухливістю і концентрацією носіїв заряду.·The correlation between mobility and carriers concentration and growth's conditions of gallium arsenic layers by liquid phase epitaxy is established. It is possible to obtain layers with required mobility and concentration of charge carriers by changing of technology parameters of growth s process.