Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Предлагаемые способ и устройство предназначены для создания многослойных полупроводниковых приборов различного спектрального диапазона, а также структур на основе арсенидгаллиевых соединений.
Опис
Теми
Технологические процессы и оборудование
Цитування
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵ / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ф.А. Гиясова, Р.А. Саидова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 56-58. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.