Исследование процессов теплообмена в коллекторных термосифонах коммутационных плат высокой степени интеграции
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Экспериментально показано, что встраивание коллекторных термосифонов на основе щелевых каналов в коммутационную плату позволяет в два раза снизить температуру в зоне теплоподвода.
Опис
Теми
Обеспечение тепловых режимов
Цитування
Исследование процессов теплообмена в коллекторных термосифонах коммутационных плат высокой степени интеграции / Ю.Е. Николаенко, А.А. Цыганский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 36-41. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.