Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Вольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала.
Опис
Теми
Функциональная микро- и наноэлектроника
Цитування
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 58-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.