Перспективные материалы для низкоомных толстопленочных резистивных элементов
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Разработанная на основе Ag/Ru/Pd система паст и содержание в этой системе 35—45% стеклосвязки обеспечивают необходимые характеристики резисторов и расширяют возможности толстопленочной технологии.
Опис
Теми
Материалы электроники
Цитування
Перспективные материалы для низкоомных толстопленочных резистивных элементов / А.Н. Смирнов, Н.С. Пучкова, Р.Г. Сидорец, В.Д. Лемза // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 1. — С. 58-59. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.