Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии селенида кадмия на слоистую подложку GaTe получена структура многокомпонентного состава с присутствием незначительной части металлического кадмия.
Опис
Теми
Материалы электроники
Цитування
Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах / А.А. Балицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.— 2005.— № 2.— С. 59-61.— Бібліогр.: 11 назв. — рос.