Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).
Опис
Теми
Материалы для микроэлектроники
Цитування
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 3-4. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.