Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
Завантаження...
Файли
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Описана разработанная установка и методика электрохимического профилирования многослойных эпитаксиальных структур n-GaAs.
Опис
Теми
Новое технологическое оборудование для микроэлектроники
Цитування
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs / Н.М. Вакив, И.Р. Завербный, Д.М. Заячук, С.И. Круковский, И.О. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 40-45. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.