Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Впервые предложен нейросетевой алгоритм обработки экспериментальных данных, что позволило повысить точность аппроксимации до 1,5 мК в диапазоне температур 4,2—357 К.
Опис
Теми
Сенсоэлектроника. Датчики
Цитування
Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора / Ю.М. Шварц, П.А. Яганов, В.Г. Дзюба // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 18-22. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.