Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 5
Постійний URI цієї колекціїhttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53435
ЗМІСТ
ТЕХНИЧЕСКАЯ ПОЛИТИКА ЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА: ИССЛЕДОВАНИЯ, РАЗРАБОТКИ СВЧ-ТЕХНИКА-
Яцуненко А.Г.
Принципиально новый подход к изготовлению СВЧ-элементов и узлов систем связи и навигации
-
Колежук К.В., Комащенко В.Н., Ярошенко Н.В., Шереметова Г.И., Майстренко А.С.
Экспрессное измерение мощности ультрафиолетового излучения в спектральных диапазонах УФ-А и УФ-В+С
-
Шарапов В.М., Мусиенко М.П.
Новое поколение пьезокерамических датчиков физических величин
Шварц Ю.М., Яганов П.А., Дзюба В.Г.
Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора
-
Кушниренко В.В., Нинидзе Г.К., Павлюк С.П., Коноваленко Л.Д.
Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
Ёдгорова Д.М., Каримов А.В.
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
-
Николаенко Ю.Е.
Аппаратное построение высокопроизводительных вычислительных систем с повышенной эффективностью теплоотвода
-
Белянин А.Ф., Самойлович М.И., Житковский В.Д., Каменева А.Л.
Ударостойкие защитные пленочные покрытия на основе AlN в электронной технике
Баранов В.В.
Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А., Сидор О.Н.
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
Головко М.И., Гончаренко Ю.В., Горобец В.Н., Зотов С.М., Кивва Ф.В., Гутник В.Г., Говорищев А.И.
Установка для регенерации сорбентов в электромагнитном поле
Рогов Р.В., Мельничук С.В, Воробец Г.И.
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
-
Сольский И.М., Сугак Д.Ю., Габа В.М.
Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров
Гадзаман И.В., Мруз О.Я., Шпотюк О.И., Брунец И.М.
Зависимость свойств толстопленочных терморезисторов от состава базовой шпинели