Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости.
Опис
Теми
Технологические процессы и оборудование
Цитування
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 47-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.