Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКовалюк, З.Д.
dc.contributor.authorКатеринчук, В.Н.
dc.contributor.authorПолитанская, О.А.
dc.contributor.authorСидор, О.Н.
dc.date.accessioned2014-01-25T12:54:26Z
dc.date.available2014-01-25T12:54:26Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractИсследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости.uk_UA
dc.identifier.citationВлияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 47-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53631
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехнологические процессы и оборудованиеuk_UA
dc.titleВлияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктурuk_UA
dc.title.alternativeВплив γ-опромінення на фотоелектричні параметри InSe-гетероструктурuk_UA
dc.title.alternativeInfluence of γ-radiation on electrical parameters InSe-heterostructuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
12-Kovaliuk.pdf
Розмір:
81.27 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 5