Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Определены параметры кремниевых диффузионных резисторов, необходимые для расчета их конструктивных и эксплуатационных характеристик. Предложена физическая модель, описывающая закономерности, происходящие в резисторах.
Опис
Теми
Функциональная микро- и наноэлектроника
Цитування
Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности / В.В. Кушниренко, Г.К. Нинидзе, С.П. Павлюк, Л.Д. Коноваленко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 23-26. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.