Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКушниренко, В.В.
dc.contributor.authorНинидзе, Г.К.
dc.contributor.authorПавлюк, С.П.
dc.contributor.authorКоноваленко, Л.Д.
dc.date.accessioned2014-01-25T12:40:47Z
dc.date.available2014-01-25T12:40:47Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractОпределены параметры кремниевых диффузионных резисторов, необходимые для расчета их конструктивных и эксплуатационных характеристик. Предложена физическая модель, описывающая закономерности, происходящие в резисторах.uk_UA
dc.identifier.citationИсследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности / В.В. Кушниренко, Г.К. Нинидзе, С.П. Павлюк, Л.Д. Коноваленко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 23-26. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53626
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleИсследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотностиuk_UA
dc.title.alternativeДослідження кремнієвих дифузійних резисторів при протіканні імпульсного струму великої щільностіuk_UA
dc.title.alternativeInvestigation of silicon diffusion resistors at course of a pulse of a high currentuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
07-Kushnirenko.pdf
Розмір:
158.4 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 5