Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Результаты могут быть использованы для оценки частотного диапазона, зависимости фоточувствительности от поля, выявления механизмов фоточувствительности двухбарьерных структур с металлополупроводниковыми переходами.
Опис
Теми
Функциональная микро- и наноэлектроника
Цитування
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.