Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металло­полу­проводниковыми переходами

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЁдгорова, Д.М.
dc.contributor.authorКаримов, А.В.
dc.date.accessioned2014-01-25T12:42:53Z
dc.date.available2014-01-25T12:42:53Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractРезультаты могут быть использованы для оценки частотного диапазона, зависимости фоточувствительности от поля, выявления механизмов фоточувствительности двухбарьерных структур с металлополупроводниковыми переходами.uk_UA
dc.identifier.citationОпределение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металло­полу­проводниковыми переходами / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53627
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleОпределение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металло­полу­проводниковыми переходамиuk_UA
dc.title.alternativeВизначення характеристик двобар'єрних фотодіодних структур з металнапівпровідниковими переходамиuk_UA
dc.title.alternativeDefinition of characteristic of two-barrier photodiode structures with meta1-semiconduction transitionuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
08-Edgorova.pdf
Розмір:
116.69 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 5