СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Представлены результаты разработки технологии и исследования оптических характеристик высокоапертурных ПОВ на основе SiO₂-F | SiO₂ | SiO₂-F-структур, формируемых в плазме СВЧ-разряда.
Опис
Теми
Технологические процессы и оборудование
Цитування
СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов / В.В. Григорьянц, А.П. Долгов, Л.Ю. Кочмарёв, И.П. Шилов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.