Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Показана возможность практического применения Al-SiO₂-Si-структур в создании стабильных и управляемых элементов памяти.
Опис
Теми
Материалы электроники
Цитування
Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si / З.А. Искендер-заде, М.Р. Ахундов, Э.А. Джафарова, Ш.А. Алиханова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 2. — С. 59-61. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.