Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
Анотація
Работа посвящена разработке технологии тонкопленочных туннельных структур на основе ниобия и алюминия для детекторов излучения на базе сверхпроводниковых туннельных переходов (СТП). Проведен анализ влияния сверхпроводящих и микроструктурных характеристик слоев СТП на энергетическое разрешение детектора. Приведены результаты разработки технологии сверхпроводящих пленок ниобия, свободных от напряжения, а также структур Nb/AlOx-Al/Nb и Nb/Al-AlOx-Al/Nb, пригодных для детекторов излучений.
Опис
Теми
Цитування
Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения / И.Д. Войтович, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2004. — № 3. — С. 35-42. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.