Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия

Abstract

Анализируются электрические и фотоэлектрические свойства выпрямляющих структур различного типа (поверхностно-барьерные диоды, p—n-гомопереходы и гетеропереходы) на базе моноселенидов галлия и индия. Обсуждается влияние параметров базовых материалов на основные технические характеристики и параметры диодов, а также возможные пути их улучшения.The forming mechanisms of dark and light properties straightening structures with different type based on the indium and gallium monoselenides were considered.