Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Исследовано влияние γ-излучения на параметры границы раздела Si-SiO₂ МОП-структур в зависимости от технологических режимов их получения.
Опис
Теми
Качество. Надежность
Цитування
Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур / Э.М. Гаджиев, Я.Ю. Гусейнов, Н.М. Исмайлов, Ф.Д. Касимов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 28-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.