Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC
Завантаження...
Файли
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Проведен обзор работ, в которых исследовались контактные системы на карбиде кремния. Рассмотрено влияние различных факторов на выпрямляющие свойства контактов, а именно, влияние предварительной обработки поверхности образца до нанесения металла и термообработки сформированной системы "металл—карбид кремния" на высоту барьера. Проведен анализ экспериментальных данных.
Опис
Теми
Технология производства
Цитування
Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC / О.А. Агеев, А.М. Светличный, Н.А. Ковалев, Р.Н. Разгонов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 37-41. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.