Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов

Abstract

Показана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно активным слоем металлургической границы. При этом спектральное положение полос фото­чувстви­тель­ности может технологически регулироваться составом и рекомби­национными параметрами диффузионного и нарощенного слоев.