Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. II. Численный эксперимент

Abstract

На основе построенной в первой части работы обобщённой модели дисперсионночувствительной дифрактометрии неидеальных кристаллов произвольной толщины проведён анализ дифференциальных и интегральных картин рассеяния для широкого интервала эффективных толщин кристалла.На основі побудованої у першій частині роботи узагальненої моделі дисперсійночутливої дифрактометрії неідеальних кристалів довільної товщини проведено аналіз диференційних та інтеґральних картин розсіяння для широкого інтервалу ефективних товщин кристалу.Based on generalized model of dispersion-sensitive diffractometry constructed in the first part for imperfect crystals of arbitrary thickness, the analysis of differential and integral scattering patterns for a wide range of effective thickness of the crystal is carried out.