Комплексный импеданс скин-слоя плазменного столба, сформированного в свободном пространстве методом взрыва
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Анотація
Получены аналитические выражения, описывающие частотную зависимость комплексного импеданса скин-слоя плазменного столба, созданного взрывным методом. Для расчетов активной и реактивной составляющих импеданса использованы экспериментальные характеристики плазмы.
Одержано аналітичні вирази, що описують частотну залежність комплексного імпедансу скін-шару плазмового стовпа, утвореного методом вибуху. Для розрахунків активної та реактивної складових імпедансу застосовано експериментальні характеристики плазми.
The analytical expressions describing the frequency dependence of complex impedance of a skin layer of a plasma jet, generated using an explosive method have been obtained. The measured characteristics of the plasma are used to calculate the resistance and reactance.
Одержано аналітичні вирази, що описують частотну залежність комплексного імпедансу скін-шару плазмового стовпа, утвореного методом вибуху. Для розрахунків активної та реактивної складових імпедансу застосовано експериментальні характеристики плазми.
The analytical expressions describing the frequency dependence of complex impedance of a skin layer of a plasma jet, generated using an explosive method have been obtained. The measured characteristics of the plasma are used to calculate the resistance and reactance.
Опис
Теми
Радиофизика твердого тела и плазмы
Цитування
Комплексный импеданс скин-слоя плазменного столба, сформированного в свободном пространстве методом взрыва / А.О. Пузанов // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 230-235. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.