Комплексный импеданс скин-слоя плазменного столба, сформированного в свободном пространстве методом взрыва

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України

Анотація

Получены аналитические выражения, описывающие частотную зависимость комплексного импеданса скин-слоя плазменного столба, созданного взрывным методом. Для расчетов активной и реактивной составляющих импеданса использованы экспериментальные характеристики плазмы.
Одержано аналітичні вирази, що описують частотну залежність комплексного імпедансу скін-шару плазмового стовпа, утвореного методом вибуху. Для розрахунків активної та реактивної складових імпедансу застосовано експериментальні характеристики плазми.
The analytical expressions describing the frequency dependence of complex impedance of a skin layer of a plasma jet, generated using an explosive method have been obtained. The measured characteristics of the plasma are used to calculate the resistance and reactance.

Опис

Теми

Радиофизика твердого тела и плазмы

Цитування

Комплексный импеданс скин-слоя плазменного столба, сформированного в свободном пространстве методом взрыва / А.О. Пузанов // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 230-235. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced