Механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал
Завантаження...
Файли
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Анотація
Представлені результати комплексних досліджень механізмів зародження і процесів росту, топології поверхні наноструктур у парофазних конденсатах легованого вісмутом плюмбум телуриду PbTe:Bi, вирощених за різних технологічних факторів: температури випарування наважки ТВ = (920—1020) К, температури осадження (підкладки) ТП = (420—520) К, часу осадження τ = (3—120) c на полікристалічному ситалі.
Представлены результаты комплексных исследований механизмов зарождения и процессов роста, топологии поверхности наноструктур в парофазных конденсатах легированного висмутом теллурида свинца PbTe:Bi, выращенных при различных технологических факторов: температуры испарения навески ТВ = (920—1020) К, температуры осаждения (подложки) ТП = (420—520) К, времени осаждения τ = (3—120) c на поликристаллическом ситалле.
Presented the results of comprehensive research the mechanism of nucleation and growth processes, surface topology in nanostructures doped bismuth vapor-phase condensates Lead Telluride PbTe:Bi, grown on various technological factors: temperature sample vaporation TV = (920—1020) K, deposition temperature (substrate) TS = (420—520) К, deposition time τ = (3—120) s on polycrystalline ceramics.
Робота виконана згідно наукових проектів відділу публічної дипломатії НАТО програми «Наука заради миру» (NUKR, SEPP 984536), та МОН України (Державний реєстраційний номер 0113U000185).
Представлены результаты комплексных исследований механизмов зарождения и процессов роста, топологии поверхности наноструктур в парофазных конденсатах легированного висмутом теллурида свинца PbTe:Bi, выращенных при различных технологических факторов: температуры испарения навески ТВ = (920—1020) К, температуры осаждения (подложки) ТП = (420—520) К, времени осаждения τ = (3—120) c на поликристаллическом ситалле.
Presented the results of comprehensive research the mechanism of nucleation and growth processes, surface topology in nanostructures doped bismuth vapor-phase condensates Lead Telluride PbTe:Bi, grown on various technological factors: temperature sample vaporation TV = (920—1020) K, deposition temperature (substrate) TS = (420—520) К, deposition time τ = (3—120) s on polycrystalline ceramics.
Робота виконана згідно наукових проектів відділу публічної дипломатії НАТО програми «Наука заради миру» (NUKR, SEPP 984536), та МОН України (Державний реєстраційний номер 0113U000185).
Опис
Теми
Цитування
Механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал / Д.М. Фреїк, І.С. Биліна, Л.Й. Межиловська, Р.В. Уманців, В.В. Михайлюк // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 522-534. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.