Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Hall-effect and magnetoresistivity of holes in silicon and germanium are
considered with due regard for mutual drag of light and heavy band carriers. Search of
contribution of this drag shows that this interaction has a sufficient influence on both
effects.
Опис
Теми
Цитування
Influence of mutual drag of light and heavy holes
on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium / I.I. Boiko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 437-440. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.