Ковалентно-зонная модель конденсированного состояния

Abstract

Кулоновское взаимодействие пары электронов ri соседних ионов Rj в представлении сильной связи сводится либо к энергии ковалентной связи (Г), либо к интегралу перескока (t), которые вычисляются для двумерных систем типа фуллеренов (ФУЛ) и нанотрубок углерода (НТУ). Теория полупроводниковых (п/п) систем дает зависимость энергии связи Г(Т) от температуры Т, обусловленную флуктуациями химических (ковалентных) связей (ФХС).Кулонівська взаємодія пари електронів ri сусідніх йонів Rj в представленні сильного зв’язку зводиться або до енергії ковалентного зв’язку (Г), або ж до інтеґрала перескоку (t), які обчислюються для двовимірних систем типу фуллеренів (ФУЛ) і нанорурок вуглецю (НРВ). Теорія напівпровідникових (н/п) систем дає залежність енергії зв’язку Г(Т) від температури Т, зумовлену флюктуаціями хемічних (ковалентних) зв’язків (ФХЗ).The Coulomb interaction of electron pair in ri of neighbour ions at Rj within the tight-binding representation comes either to the covalent-bond energy (Г) or to the hopping integral (t) that is calculated for two-dimensional systems such as fullerenes (FUL) and carbon nanotubes (CNT). The theory of semiconductor (s/c) systems leads to the dependence of bond energy Г(T) on temperature T, which is caused by the chemical (covalent) bond fluctuations (CBF).