Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011, № 5
Постійний URI цієї колекціїhttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51809
ЗМІСТ
ЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА: ИССЛЕДОВАНИЯ, РАЗРАБОТКИ-
Сахно Э.А., Балашов М.А., Жиликов В.В., Лобасов Д.В.
Применение технологии тонких пленок и наноструктурированных материалов при изготовлении теплонагруженных печатных плат
Рассамакин Б.М., Хайрнасов С.М., Хоминич В.И., Буденный А.В., Коваленко Е.Ю., Елисеева Е.Н.
Термовакуумные испытания системы электроcнабжения наноспутника НТУУ «КПИ»
-
Дружинин А.А., Островский И.П., Ховерко Ю.Н., Ничкало С.И., Бережанский Е.И.
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
Алтухов А.А., Афанасьев М.С., Зяблюк К.Н., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В.
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
-
Перевертайло В.Л.
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
Гурбанниязов М.А., Курбанов М.А.
Методика и установка для определения теплопроводности полупроводников с использованием лучистой энергии
Гаркавенко А.С.
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
-
Алиева А.П., Алескеров Ф.К., Кахраманов С.Ш.
Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном
Андронова Е.В., Баганов Е.А., Курак В.В.
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
Смынтына В.А., Кулинич О.А., Яцунский И.Р., Cвиридова О.В., Марчук И.А.
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
-
Носков В.Я., Игнатков К.А., Смольский С.М.
Автодинные характеристики стабилизированных СВЧ-генераторов при сильном отраженном сигнале
*****
Новые книги
В портфеле редакции
Памятка автору журнала "ТКЭА"