Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь>

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України

Анотація

Выявлены морфологические особенности в кристаллах A₂VB₃VI<примесь>, связанные с формированием межслоев различной толщины, которые играют принципиальную роль в аномалиях электронных свойств кристаллов.
На міжшаровій поверхні кристалів Bi₂Te₃<домішка> та Sb₂Te₃<домішка> у результаті самоорганізації формуються наноутворення наступних типів: пірамідальні включення, паралельні пластини та фрагменти, подібні фрактальної поверхні Кох. Виявлені морфологічні особливості в A₂VB₃VI<домішка>, пов'язані з формуванням міжшарів різної товщини, можуть зіграти принципову роль в аномаліях електронних властивостей.
On inter layer surfaces of crystals of Bi₂Te₃<impurity> and Sb₂Te₃<impurity> as a result of self-organisation are formed nano formations of following types: the pyramidal inclusions, parallel plates and the fragments similar Koch fractal surface. The revealed morphological features in A₂VB₃VI <impurity> crystals connected with formation of interlayers of various thickness can play a basic role in anomalies of electronic properties.

Опис

Теми

Материалы электроники

Цитування

Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> / А.П. Алиева, К.Ш. Кахраманов, С.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced