Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Полученные оптимальные технологические режимы процесса диффузии фосфора с применением твердого планарного источника позволяют получать транзисторы с улучшенными электрофизическими характеристиками.
Опис
Теми
Технологические процессы и оборудование
Цитування
Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем / Б.А. Шангереева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 54-56. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.