Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014, № 2-3
Постійний URI цієї колекціїhttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70531
ЗМІСТ
ЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА: ИССЛЕДОВАНИЯ, РАЗРАБОТКИ-
Ермоленко Е.А.
Классификация методов измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов
Оборский Г.А., Савельева О.С., Шихирева Ю.В.
Экспресс-метод оценки изменений температуры элементов РЭА
-
Рассохина Ю.В., Крыжановский В.Г., Коваленко В.А., Colantonio P., Giofre R.
Использование щелевых резонаторов для проектирования усилителя мощности с манипуляцией гармоник
Лаврич Ю.Н., Плаксин С.В., Крысь В.Я., Погорелая Л.М., Соколовский И.И.
Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур
-
Политанский Р.Л., Шпатарь П.М., Гресь A.B., Верига А.Д.
Система передачи данных с шифрованием хаотическими последовательностями
-
Сидорец В.Н., Бушма А.И., Жерносеков А.М.
Схемотехника источников питания для импульсно-дуговой сварки с хаотическими колебаниями тока
-
Гершуни А.Н., Нищик А.П.
Коаксиальная тепловая труба для охлаждения отражателя лазера
Наумова А.Н., Кравец В.Ю., Николаенко Ю.Е.
Физическое представление и расчет начала кипения в пульсационной тепловой трубе
-
Ланин В.Л., Петухов И.Б.
Получение соединений повышенной плотности термозвуковой микросваркой в 3D интегральных микросхемах
-
Марьянчук П.Д., Дымко Л.Н., Романишин Т.Р., Ковалюк Т.Т., Брус В.В., Солован М.Н., Мостовой А.И.
Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, легированных марганцем
Вакив Н.М., Круковский С.И., Ларкин С.Ю., Авксентьев А.Ю., Круковский Р.С.
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
*******
Список рецензентов номера
Памятка автору журнала «ТКЭА»
Новые книги
Выставки. Конференции