Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів

Abstract

За допомогою метод функціоналу електронної густини та псевдопотенціялу із перших принципів одержано розподіли густини валентних електронів і електронні спектри епітаксійних гетероструктур Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/CdTe та Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/ZnS. Визначено зменшення густини електронного заряду в шарах CdTe та ZnS, що покривають плівку CdхHg1-xTe (ізолювальний ефект). Визначено наявність потенціяльних бар’єрів на роздільчій межі шарів CdTe та CdхHg1-xTe (х = 0,2), а також ZnS та CdхHg1-xTe (х = 0,2).The valence-electrons’ density distributions and the electronic energy spectra for the epitaxial Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0.2)/CdTe and Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0.2)/ZnS heterostructures are calculated by the methods of the density functional theory and the pseudopotential construction from the first principles. Reduction of the electron-charge density within the CdTe (or ZnS) layers covering the CdхHg1-xTe film (an insulating effect) is observed. The presence of the potential barriers on the interface of the CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0.2) or ZnS/CdхHg1-xTe (х = 0.2) layers is revealed.При помощи методов функционала электронной плотности и псевдопотенциала из первых принципов рассчитаны распределения плотности валентных электронов и электронные спектры эпитаксиальных гетероструктур Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/CdTe и Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х - 0,2)/ZnS. Определено уменьшение плотности электронного заряда в слоях CdTe и ZnS, которые покрывают плёнку CdхHg1-xTe (изолирующий эффект). Обнаружено наличие потенциальных барьеров на границе раздела слоёв CdTe та CdхHg1-xTe (х = 0,2), а также ZnS и CdхHg1-xTe (х = 0,2).