Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers

dc.contributor.authorMoskvin, P.P.
dc.contributor.authorKhodakovsky, V.V.
dc.date.accessioned2017-05-27T11:03:25Z
dc.date.available2017-05-27T11:03:25Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractWithin the diffusion-limited growth model, the kinetic analysis of the LPE process for CdxHg₁₋xTe solid solutions is carried out. It is assumed that a phase equilibrium exists on the interface, and the concentrations of components are connected by the equations of phase equilibria in the frame of the model of polyassociated solutions. These equations serve as the boundary conditions in solving the diffusion mass transfer problem. The developed thermodynamic model of growth allowed us to achieve the precision description of solid solutions, in particular to predict the regimes of the growth of layers with a given composition in the Cd-Hg-Te system.uk_UA
dc.identifier.citationIsothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers / P.P. Moskvin, V.V. Khodakovsky // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 2. — С. 29-33. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 64.90.+ b
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117889
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleIsothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layersuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
07-Moskvin.pdf
Розмір:
115.06 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: