Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium

Завантаження...
Ескіз

Дата

Автори

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України

Анотація

Hall-effect and magnetoresistivity of holes in silicon and germanium are considered with due regard for mutual drag of light and heavy band carriers. Search of contribution of this drag shows that this interaction has a sufficient influence on both effects.

Опис

Теми

Цитування

Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium / I.I. Boiko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 437-440. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced