Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorGorbatyuk, I.N.
dc.contributor.authorZhikharevich, V.V.
dc.contributor.authorOstapov, S.E.
dc.date.accessioned2017-06-14T16:15:27Z
dc.date.available2017-06-14T16:15:27Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractThis paper presents research of the process for growing the crystals of semiconductor solid solutions Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe under conditions of a modified zone melting.uk_UA
dc.identifier.citationInvestigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method / I.N. Gorbatyuk, V.V. Zhikharevich, S.E. Ostapov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 22-25. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 74.62.Bf
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121548
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleInvestigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting methoduk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
05-Gorbatyuk.pdf
Розмір:
200.98 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, № 4