Investigation of cadmium telluride films on silicon substrate

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorOdarych, V.A.
dc.contributor.authorSarsembaeva, A.Z.
dc.contributor.authorSizov, F.F.
dc.contributor.authorVuichyk, M.V.
dc.date.accessioned2017-06-14T16:10:13Z
dc.date.available2017-06-14T16:10:13Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractProperties of cadmium telluride films on silicon substrate, distribution of thickness and refraction index over the sample area were investigated by the ellipsometric method. It was ascertained that the refraction index of cadmium telluride films on a silicon substrate was considerably less than that of monocrystalline CdTe and depends on the film thickness, increasing with the thickness growth.uk_UA
dc.identifier.citationInvestigation of cadmium telluride films on silicon substrate / V.A. Odarych, A.Z. Sarsembaeva, F.F. Sizov, M.V. Vuichyk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 55-59. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 68.35.-p, 73.20.-r
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121545
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleInvestigation of cadmium telluride films on silicon substrateuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
10-Odarych.pdf
Розмір:
243.94 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, № 4