Технология изготовления контактов к карбиду кремния

Abstract

Систематизированы имеющиеся а различных публикациях результаты исследований удельного сопротивления омических контактов к карбиду кремния, изготовленных без какой-либо модификации поверхности полупроводника. Проведен анализ группы контактов с наилучшими параметрами, и на основе его результатов даны рекомендации по оптимальным контактообразующим слоям для p- и n-типов SiC политипов 4Н, 6Н, 3С, 15R, 21R.

Систематизовано наявні в різних публікаціях результати досліджень питомого опору омічних контактів до карбіду кремнію, виготовлених без будь-якої модифікації поверхні напівпровідника. ІІроведено аналіз групи контактів з найкращими параметрами, і на основі його результатів зроблені рекомендації щодо оптимальних контактостворюючих шарів для p- та n-типів SiC політіпів 4Н, 6Н, 3С, 15R, 21R.

The authors classified the results of investigations of resistivity of ohmic contacts to silicon carbide made without any semiconductor surface modification. A set of contacts with better parameters were analysed. From the results of this analysis, some recommendations were made concerning optimal contact-forming layers for p- and n-SiC types of 4H, 6H, 3C, 15R, 21R polytypes.