Dislocation-diffusion mechanism of high-temperature healing of the cracks in crystals under loading

dc.contributor.authorBoyko, Yu.I.
dc.contributor.authorVolosyuk, M.A.
dc.contributor.authorKononenko, V.G.
dc.date.accessioned2018-06-14T18:41:39Z
dc.date.available2018-06-14T18:41:39Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractThe regularities of disc-like voids (cracks) healing in polycrystalline copper samples under conditions of uniaxial compression at 600°C were experimentally studied. The theory of crack healing by diffusion-dislocation mechanism was developed. Comparing the experimental data with the theoretical dependences has shown their complete correspondence, which is supported by agreement of the experimental Peierls threshold stress with literature data. The work is an important step for solving the general problem on mechanisms of stress relaxation near various stress concentrators in crystals.uk_UA
dc.identifier.citationDislocation-diffusion mechanism of high-temperature healing of the cracks in crystals under loading / Yu.I. Boyko, M.A. Volosyuk, V.G. Kononenko // Functional Materials. — 2012. — Т. 19, № 2. — С. 245-250. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1027-5495
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135295
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherНТК «Інститут монокристалів» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofFunctional Materials
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectCharacterization and propertiesuk_UA
dc.titleDislocation-diffusion mechanism of high-temperature healing of the cracks in crystals under loadinguk_UA
dc.title.alternativeДислокаційно-дифузійний механізм високотемпературного заліковування тріщин в кристалах під навантаженнямuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
18-Boyko.pdf
Розмір:
236.41 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: