ITO layers modified in glow discharge plasma for Nematic Liquid Crystal alignment

dc.contributor.authorKolomzarov, Yu.
dc.contributor.authorOleksenko, P.
dc.contributor.authorRybalochka, A.
dc.contributor.authorSorokin, V.
dc.contributor.authorTytarenko, P.
dc.contributor.authorZelinskyy, R.
dc.date.accessioned2017-05-26T12:11:29Z
dc.date.available2017-05-26T12:11:29Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractInfluence of ionic and plasma treatment on orienting properties of indium-tinoxide (ITO) films was investigated. The stable tilt angle generation of nematic liquid crystal (NLC) molecules was attended. Dependences of NLC molecules tilt angles on various technological parameters and regimes of ITO film deposition have been shown. Results for oriented film surfaces investigated by atomic-force microscopy showed the viscous-elastic mechanism of NLC molecules alignment by the modified ITO films..uk_UA
dc.identifier.citationITO layers modified in glow discharge plasma for Nematic Liquid Crystal alignment / Yu. Kolomzarov, P. Oleksenko, A. Rybalochka, V. Sorokin, P. Tytarenko, R. Zelinskyy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 1. — С. 19-23. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 42.79.Kr, 61.30.Gd, 81.15.Cd
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117700
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleITO layers modified in glow discharge plasma for Nematic Liquid Crystal alignmentuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
4-Kolomzarov.pdf
Розмір:
452.91 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: