SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBoltovets, N.S.
dc.contributor.authorIvanov, V.N.
dc.contributor.authorKonakova, R.V.
dc.contributor.authorKudryk, Ya.Ya.
dc.contributor.authorMilenin, V.V.
dc.contributor.authorLytvyn, O.S.
dc.contributor.authorLytvyn, P.M.
dc.contributor.authorVlaskina, S.I.
dc.contributor.authorAgueev, O.A.
dc.contributor.authorSvetlichny, A.I.
dc.contributor.authorSoloviev, S.I.
dc.contributor.authorSudarshan, T.S.
dc.date.accessioned2017-05-28T17:42:31Z
dc.date.available2017-05-28T17:42:31Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractElectrical and structural properties of Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers on n-6H-, 15R- and 4H-SiC (with epi-layer) were studied. High thermal stability of ideality factors and barrier heights in the formed contacts was explained by the thermal stability of an interface TiBx(ZrBx)-SiC after rapid thermal annealing at 800°N for 60 s.uk_UA
dc.identifier.citationSiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers / N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, V.V. Milenin, O.S. Lytvyn, P.M. Lytvyn, S.I. Vlaskina, O.A. Agueev, A.I. Svetlichny, S.I. Soloviev, T.S. Sudarshan // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 1. — С. 60-62. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 85.30.Kk
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118115
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleSiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layersuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
11-Boltovets.pdf
Розмір:
1.67 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2004, № 1