The influence of irradiation by electrons and γ-quanta on photoelectrical and optical properties of epitaxial Pb₁₋xMnxTe film

dc.contributor.authorAbbasov, Sh.M.
dc.contributor.authorNuruyev, I.R.
dc.contributor.authorTagiyev, T.B.
dc.contributor.authorAgaverdiyeva, G.T.
dc.contributor.authorKerimova, T.I.
dc.contributor.authorIsmayilova, G.T.
dc.date.accessioned2017-05-27T11:02:43Z
dc.date.available2017-05-27T11:02:43Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractWe have studied the effect of electron irradiation on photoelectrical and optical properties of Pb₁₋xMnxTe (0.01 ≤ x ≤ 0.05) epitaxial films containing 0.5…1 at. % of gallium with thicknesses of 1…5 µm, obtained by the method of molecular beam epitaxy on substrates BaF₂ (III).uk_UA
dc.identifier.citationThe influence of irradiation by electrons and γ-quanta on photoelectrical and optical properties of epitaxial Pb₁₋xMnxTe film / Sh.M. Abbasov, I.R. Nuruyev*, T.B. Tagiyev, G.T. Agaverdiyeva, T.I. Kerimova,G.T. Ismayilova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 2. — С. 26-28. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 42.25.Bs, 61.82.Fk
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117888
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleThe influence of irradiation by electrons and γ-quanta on photoelectrical and optical properties of epitaxial Pb₁₋xMnxTe filmuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
06-Abbasov.pdf
Розмір:
263.5 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: